| 型号： | EPC2012 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | EPC | 描述： | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| EPC2012 PDF |  |
| 应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品培训模块 | Paralleling eGaN? FETs |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | eGaN® |
| FET 型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 3A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 100V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 128pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商设备封装 | 模具 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 配用 | 917-1013-ND - BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
| 其它名称 | 917-1017-1 |